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K4H561638D-TCB0中文資料三星數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

K4H561638D-TCB0
廠商型號(hào)

K4H561638D-TCB0

功能描述

128Mb DDR SDRAM

文件大小

669.27 Kbytes

頁面數(shù)量

53

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-17 11:30:00

K4H561638D-TCB0規(guī)格書詳情

Features

? Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle

? Bidirectional data strobe(DQS)

? Four banks operation

? Differential clock inputs(CK and CK)

? DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition

? MRS cycle with address key programs

-. Read latency 2, 2.5 (clock)

-. Burst length (2, 4, 8)

-. Burst type (sequential & interleave)

? All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK)

? Data I/O transactions on both edges of data strobe

? Edge aligned data output, center aligned data input

? LDM,UDM/DM for write masking only

? Auto & Self refresh

? 15.6us refresh interval(4K/64ms refresh)

? Maximum burst refresh cycle : 8

? 66pin TSOP II package

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
SAMSUNG
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50000
只做原裝正品
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一級(jí)代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、
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