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KMBT5551	文件：72.82 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistors Features ●HighVoltageTransistors ●Pb-FreePackagesareAvailable	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
KMST5551	文件：368.42 Kbytes Page：1 Pages	NPNTransistors ■Features ●SmallSurfaceMountPackage ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching ●ComplementarytoMMST5401	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
KST5551	文件：44.78 Kbytes Page：3 Pages	AmplifierTransistor AmplifierTransistor ?Collector-EmitterVoltage:VCEO=160V ?CollectorPowerDissipation:PC(max)=350mW	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KST5551MTF	文件：628.43 Kbytes Page：1 Pages	FAIRCHILDSmallSignalTransistors	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KST5551MTF	文件：50.27 Kbytes Page：3 Pages	AmplifierTransistor AmplifierTransistor ?Collector-EmitterVoltage:VCEO=160V ?CollectorPowerDissipation:PC(max)=350mW	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KXT5551	文件：39.81 Kbytes Page：1 Pages	SurfaceMountNPNSiliconTransistor Features ●Highcurrent(max.600mA). ●Lowvoltage(max.160V). ●ComlementarytoCXT5401	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
KZT5551	文件：955.28 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
LP5551	文件：3.30416 Mbytes Page：32 Pages	PowerWise??TechnologyCompliantEnergyManagementUnit	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC
LP5551	文件：1.93111 Mbytes Page：38 Pages	LP5551PowerWise??TechnologyCompliantEnergyManagementUnit	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LP5551SQ	文件：3.30416 Mbytes Page：32 Pages	PowerWise??TechnologyCompliantEnergyManagementUnit	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC
LP5551SQ/NOPB	文件：1.93111 Mbytes Page：38 Pages	LP5551PowerWise??TechnologyCompliantEnergyManagementUnit	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LP5551SQX	文件：3.30416 Mbytes Page：32 Pages	PowerWise??TechnologyCompliantEnergyManagementUnit	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC
LP5551SQX/NOPB	文件：1.93111 Mbytes Page：38 Pages	LP5551PowerWise??TechnologyCompliantEnergyManagementUnit	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LTC5551	文件：441.68 Kbytes Page：24 Pages	300MHzto3.5GHzUltra-HighDynamicRangeDownconvertingMixer	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
LX5551	文件：262.17 Kbytes Page：3 Pages	2.4-2.5GHzFront-EndModulewithInternallyMatchedPowerAmplifier&SPDTfor11b/g/n DESCRIPTION LX5551isahigh-performanceWLANfront-endmodule(FEM)for802.11b/g/nandotherapplicationsinthe2.4-2.5GHzfrequencyrange.LX5551integratesanadvancedInGaP/GaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)poweramplifierwithbothinput/outputimpedancematching,andanInGaAs	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
LX5551LQ	文件：262.17 Kbytes Page：3 Pages	2.4-2.5GHzFront-EndModulewithInternallyMatchedPowerAmplifier&SPDTfor11b/g/n DESCRIPTION LX5551isahigh-performanceWLANfront-endmodule(FEM)for802.11b/g/nandotherapplicationsinthe2.4-2.5GHzfrequencyrange.LX5551integratesanadvancedInGaP/GaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)poweramplifierwithbothinput/outputimpedancematching,andanInGaAs	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MBT5551	文件：870.27 Kbytes Page：7 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORS DESCRIPTION The MBT5551isavailableinSOT23package FEATURES ?RoHSCompliance ?AvailableinSOT23package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
MBT5551	文件：1.01632 Mbytes Page：7 Pages	SWITCHINGTRANSISTORNPNTRANSISTOR DESCRIPTION The MBT5550MBT5551areavailableinSOT23 package FEATURES ?AvailableinSOT23package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
MMBT5551	文件：98.31 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors ?Powerdissipation250mW ?PlasticcaseSOT-23(TO-236) ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
MMBT5551	文件：184.82 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable(MMBT5401). ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN

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更多KA5551供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-26 9:07:00

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