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MMBT5551

NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

FEATURES ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT5401). ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching

TRSYS

Transys Electronics

MMBT5551

High Voltage NPN Transistors

HighVoltageNPNTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

MMBT5551

HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR

■FEATURES *HighCollector-EmitterVoltage:VCEO=160V *Highcurrentgain

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

MMBT5551

Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors ?Powerdissipation250mW ?PlasticcaseSOT-23(TO-236) ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled

Diotec

Diotec Semiconductor

MMBT5551

Marking：G1；Package：SOT-23；NPN General Purpose Transistor

FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable(MMBT5401). ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

MMBT5551

General Purpose Transistor

FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25°C) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:180V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55°Cto+150°C

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

MMBT5551

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES ●ComplementarytoMMBT5401 ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司

MMBT5551

PNP Plastic Encapsulate Transistor

Features ????????Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?CollectorCurrent:ICM=0.6A ?Collector-BaseVoltage:V(BR)CBO=180V ?OperatingAndStorageTemperatures–55OCto150OC ?Capableof0.3WattsofPowerDissipation ?Marking:G1 ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(P

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

MMBT5551

Marking：3S；Package：SOT-23；NPN General Purpose Amplifier

Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposehigh-voltageamplifiersandgasdischargedisplaydrivers.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

MMBT5551

NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT5401) ?IdealforLowPowerAmplificationandSwitching ?Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant ?GreenDevice(Notes2and3)

DIODES

Diodes Incorporated

晶體管資料

  • 型號：

    MMBT5551

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_寬頻帶放大 （A）

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

    180V

  • 最大電流允許值：

    0.6A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    0.3W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    NO

  • vtest：

    180

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.6

  • wtest：

    0.3

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MMBT5551

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    200mV @ 5mA，50mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    80 @ 10mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
CJ/長晶
24+
SOT-23
45000
長晶全系列二三極管原裝優(yōu)勢供應(yīng),歡迎詢價
 詢價
FOSAN/富信
24+
SOT-23
30000
富信一級代理SOT-23.89.123.323封裝全系列二三極管MOS管
 詢價
FAIRCHILD/仙童
24+
SOT23
8950
BOM配單專家,發(fā)貨快,價格低
 詢價
CJ
22+
SOT-23
10000
原裝,現(xiàn)貨
 詢價
JCET
201805
9000
原裝現(xiàn)貨 支持實單
 詢價
CJ長電
2010
SOT23
2939
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
FAIRCHILD/仙童
24+
SOT-23
154465
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
23+
原廠封裝
20839
專注原裝正品現(xiàn)貨特價中量大可定
 詢價
ON
2020+
SOT-23
18600
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
PANJIT/ 強茂
2019+
SOT23
36000
原盒原包裝 可BOM配套
 詢價
更多MMBT5551供應(yīng)商 更新時間2025-2-22 9:00:00

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