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MMBTA13

Marking：1M；Package：SOT-23；NPN Darlington Transistor

NPNDarlingtonTransistor ?ThisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringextremelyhighCurrentgain atcollectorCurrentsto1.0A. ?Sourcedfromprocess05.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

MMBTA13

Marking：K2D；Package：SOT-23；NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR

Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?ComplementaryPNPTypesAvailable(MMBTA63/MMBTA64) ?IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching ?HighCurrentGain ?Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliantGreenDevice(Notes3and4) ?QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHig

DIODES

Diodes Incorporated

MMBTA13

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, DARLINGTON TRANSISTOR)

GENERALPURPOSEAPPLICATION. DARLINGTONTRANSISTOR.

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

MMBTA13

NPN Darlington Amplifier Transistor

Features ?OperatingAndStorageTemperatures–55°Cto+150°C ?RθJAis556OC/W(MountedonFR-5PCB1.0”x0.75”x0.062”) ?Capableof225mWattsofPowerDissipation ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?Marking:MMBTA13---K2D;MMBTA14---K3D ?LeadFreeFinish/RoHSCo

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

MMBTA13

NPN Silicon Darlington Transistors

NPNSiliconDarlingtonTransistors ●HighDCcurrentgain ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

MMBTA13

TRANSISTOR竊?PN竊

TRANSISTOR（NPN） FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:0.3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

MMBTA13

NPN Transistors Darlington Amplifier

NPNTransistorsDarlingtonAmplifier

WEITRON

Weitron Technology

MMBTA13

DARLINGTON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCMMBTA13isaDarlingtontransistor. FEATURES *Collector-EmitterVoltage:VCES=30V *CollectorDissipation:PC(MAS)=350mW

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

MMBTA13

Marking：K2D；Package：SOT-23；NPN General Purpose Transistor

FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable(MMBTA63/MMBTA64). ●Highcurrentgain APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

MMBTA13

NPN Silicon Epitaxial Planar Darlington Transistor

NPNSiliconEpitaxialPlanarDarlingtonTransistor SOT-23PlasticPackage

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    MMBTA13

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

  • 最大電流允許值：

    0.5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BCV27,BCV47,PMBTA13,SMBTA13,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    H-15

  • vtest：

    0

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.5

  • wtest：

    0

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MMBTA13

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    剪切帶（CT）帶盒（TB）

  • 晶體管類型：

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.5V @ 100μA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    10000 @ 100mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    125MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT23-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多MMBTA13供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-29 8:00:00

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