大伊香蕉精品一区在线,国产福利酱在线观看萌白酱jk

首頁 >KF3N50FS>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
KF3N50FS	文件：86.24 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,fastreverserecoverytime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF3N50FZ	文件：73.66 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF3N50FZ	文件：86.24 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,fastreverserecoverytime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF3N50IZ	文件：410.45 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,fastreverserecoverytime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KSMD3N50C	文件：1.68729 Mbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU3N50C	文件：1.68729 Mbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MDD3N50G	文件：1.033099 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,2.8A,2.5(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDD3N50GRH	文件：1.033099 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,2.8A,2.5(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDD3N50GRH	文件：352.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=2.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MDF3N50	文件：769.65 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,2.8A,2.5(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MTP3N50	文件：301.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=450V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MTP3N50	文件：251.87 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET3.0AMPERES500VOLTSRDS(on)=3.0OHMS TMOSE-FET?HighEnergyPowerFET N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET3.0AMPERES500VOLTSRDS(on)=3.0OHMS ThisadvancedhighvoltageTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffer	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP3N50	文件：1.08664 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MTP3N50E	文件：317.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MTP3N50E	文件：236.02 Kbytes Page：8 Pages	N??hannelEnhancement??odeSiliconGate	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MTP3N50E	文件：251.87 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET3.0AMPERES500VOLTSRDS(on)=3.0OHMS TMOSE-FET?HighEnergyPowerFET N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET3.0AMPERES500VOLTSRDS(on)=3.0OHMS ThisadvancedhighvoltageTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffer	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
PHB3N50E	文件：78.35 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP3N50Eissupplied	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHP3N50	文件：53.14 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableoff-statecharacteristics,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePower	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHP3N50	文件：1.08652 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
PHP3N50E	文件：1.08653 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI

12 >>>

詳細參數(shù)

型號：
KF3N50FS
制造商：
KEC
制造商全稱：
KEC(Korea Electronics)
功能描述：
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
貿澤芯城（深圳）電子科技有限公司	KF3N50FS	KEC	23+	TO220F	13000	原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
深圳廊盛科技有限公司	KF3N50FS-U/PSF	KEC	22+	TO-220IS(1)	50000	原裝正品.假一罰十	詢價
深圳市國宇半導體科技有限公司	KF3N50FZ	K	23+	TO-220F	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	KF3N50FZ	K	TO-220F	22+	6000	十年配單,只做原裝	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	KF3N50FZ	K	23+	TO-220F	6000	原裝正品，支持實單	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	KF3N50FZ	FAIRCHILD/仙童	22+	TO220F	12000	只做原裝、原廠優(yōu)勢渠道、假一賠十	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	KF3N50FZ	KEC	20+	TO-220F	32500	現(xiàn)貨很近!原廠很遠!只做原裝	詢價
深圳市明嘉萊科技有限公司	KF3N50FZ	KEC	24+	TO220F	990000	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	KF3N50FZ	K	24+	TO-TO-220F	12300	獨立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費試樣正品保證	詢價
深圳市艾宇特電子科技有限公司	KF3N50FZ	KEC	23+	TO220F	6850	只做原廠原裝正品現(xiàn)貨!假一賠十!	詢價

更多KF3N50FS供應商更新時間2024-12-22 11:10:00

詳細參數(shù)

相關規(guī)格書

相關庫存