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KF4N60DI	文件：393.15 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,ID=3.2A ?D	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF4N60F	文件：390.08 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,ID=4A ?Dra	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF4N60I	文件：393.15 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,ID=3.2A ?D	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KSM4N60	文件：1.61726 Mbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMB4N60	文件：722.84 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD4N60	文件：689.98 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF4N60	文件：1.63495 Mbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU4N60	文件：651.41 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KX4N60	文件：559.97 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
KX4N60F	文件：1.79592 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
MDD4N60	文件：770.1 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET600V,3.5A,2.0ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDD4N60BRH	文件：1.07626 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MDD4N60RH	文件：770.1 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET600V,3.5A,2.0ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDI4N60	文件：986.67 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET600V,3.5A,2.0? GeneralDescription TheseN-channelMOSFETareproducedusingadvanced MagnaChip’sMOSFETTechnology,whichprovideslowonstateresistance,highswitchingperformanceandexcellent quality. ThesedevicesaresuitabledeviceforSMPS,highSpeed switchingandgeneralpurposeapplications.	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDI4N60B	文件：1.07617 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MDI4N60BTH	文件：1.076 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MDI4N60TH	文件：770.1 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET600V,3.5A,2.0ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDIS4N60	文件：1.07584 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MDIS4N60BTH	文件：1.07586 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MDP4N60TP	文件：1.08667 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI

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更多KF4N60DI供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-10 16:12:00

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