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KST5551	文件：44.78 Kbytes Page：3 Pages	AmplifierTransistor AmplifierTransistor ?Collector-EmitterVoltage:VCEO=160V ?CollectorPowerDissipation:PC(max)=350mW	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KST5551MTF	文件：628.43 Kbytes Page：1 Pages	FAIRCHILDSmallSignalTransistors	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KST5551MTF	文件：50.27 Kbytes Page：3 Pages	AmplifierTransistor AmplifierTransistor ?Collector-EmitterVoltage:VCEO=160V ?CollectorPowerDissipation:PC(max)=350mW	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KXT5551	文件：39.81 Kbytes Page：1 Pages	SurfaceMountNPNSiliconTransistor Features ●Highcurrent(max.600mA). ●Lowvoltage(max.160V). ●ComlementarytoCXT5401	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
KZT5551	文件：955.28 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
LP5551	文件：3.30416 Mbytes Page：32 Pages	PowerWise??TechnologyCompliantEnergyManagementUnit	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC
LP5551	文件：1.93111 Mbytes Page：38 Pages	LP5551PowerWise??TechnologyCompliantEnergyManagementUnit	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
LP5551SQ	文件：3.30416 Mbytes Page：32 Pages	PowerWise??TechnologyCompliantEnergyManagementUnit	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC
LP5551SQ/NOPB	文件：1.93111 Mbytes Page：38 Pages	LP5551PowerWise??TechnologyCompliantEnergyManagementUnit	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
LP5551SQX	文件：3.30416 Mbytes Page：32 Pages	PowerWise??TechnologyCompliantEnergyManagementUnit	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC
LP5551SQX/NOPB	文件：1.93111 Mbytes Page：38 Pages	LP5551PowerWise??TechnologyCompliantEnergyManagementUnit	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
LTC5551	文件：441.68 Kbytes Page：24 Pages	300MHzto3.5GHzUltra-HighDynamicRangeDownconvertingMixer	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
LX5551	文件：262.17 Kbytes Page：3 Pages	2.4-2.5GHzFront-EndModulewithInternallyMatchedPowerAmplifier&SPDTfor11b/g/n DESCRIPTION LX5551isahigh-performanceWLANfront-endmodule(FEM)for802.11b/g/nandotherapplicationsinthe2.4-2.5GHzfrequencyrange.LX5551integratesanadvancedInGaP/GaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)poweramplifierwithbothinput/outputimpedancematching,andanInGaAs	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
LX5551LQ	文件：262.17 Kbytes Page：3 Pages	2.4-2.5GHzFront-EndModulewithInternallyMatchedPowerAmplifier&SPDTfor11b/g/n DESCRIPTION LX5551isahigh-performanceWLANfront-endmodule(FEM)for802.11b/g/nandotherapplicationsinthe2.4-2.5GHzfrequencyrange.LX5551integratesanadvancedInGaP/GaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)poweramplifierwithbothinput/outputimpedancematching,andanInGaAs	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MBT5551	文件：870.27 Kbytes Page：7 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORS DESCRIPTION The MBT5551isavailableinSOT23package FEATURES ?RoHSCompliance ?AvailableinSOT23package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
MBT5551	文件：1.01632 Mbytes Page：7 Pages	SWITCHINGTRANSISTORNPNTRANSISTOR DESCRIPTION The MBT5550MBT5551areavailableinSOT23 package FEATURES ?AvailableinSOT23package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
MMBT5551	文件：98.31 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors ?Powerdissipation250mW ?PlasticcaseSOT-23(TO-236) ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
MMBT5551	文件：184.82 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable(MMBT5401). ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世紀(jì)微電子常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
MMBT5551	文件：170.83 Kbytes Page：2 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR FEATURES ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT5401). ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMBT5551	文件：51.5 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR ■FEATURES HighCollector-EmitterVoltage:VCEO=160V Highcurrentgain	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC

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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	KN5551	KEC	23+	TO-92	13000	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
威海萊恩特電子科技有限責(zé)任公司	KN55B(0.6)64DP/2-0.3V	HRS(廣瀨)	2023	SMD	5	訂貨性價(jià)比優(yōu)歡迎來聊	詢價(jià)
深圳市盈宏半導(dǎo)體科技有限公司	KN55B0.6-64DP	HRS/廣瀨	17+	connector	50000	連接器專營(yíng)加微13425146986	詢價(jià)
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更多KN5551供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-27 11:10:00

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