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KSD2012GTU 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導體

KSD2012GTU參考圖片

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  • 廠家型號：

    KSD2012GTU

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON SEMICONDUCTOR

  • 庫存數(shù)量：

    35960

  • 產(chǎn)品封裝：

    con

  • 生產(chǎn)批號：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-11 9:30:00

  • 詳細信息
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原廠料號：KSD2012GTU品牌：ON SEMICONDUCTOR

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KSD2012GTU是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。制造商ON SEMICONDUCTOR/onsemi生產(chǎn)封裝con/TO-220-3 整包的KSD2012GTU晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

  • 芯片型號：

    KSD2012GTU

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    FAIRCHILD【仙童半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    Fairchild Semiconductor

  • 中文名稱：

    飛兆/仙童半導體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    4 頁

  • 文件大?。?/span>

    61.55 kb

  • 資料說明：

    Low Frequency Power Amplifier

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    KSD2012GTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1V @ 200mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    150 @ 500mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    3MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220F-3

  • 描述：

    TRANS NPN 60V 3A TO220F-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王偉越

  • 手機：

    13969210552

  • 詢價：
  • 電話：

    13969210552

  • 地址：

    德州市德城區(qū)三八東路東匯大廈A座1420室

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