KSD261G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
KSD261G |
| 參數(shù)屬性 | KSD261G 封裝/外殼為TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引線；包裝為帶盒（TB）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 20V 0.5A TO92-3 |
| 功能描述 | Low Frequency Power Amplifier |
| 文件大小 |
38.83 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Fairchild Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Fairchild【仙童半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-5 9:16:00 |
KSD261G規(guī)格書詳情
Low Frequency Power Amplifier
? Complement to KSA643
? Collector Power Dissipation : PC=500mW
? Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
KSD261GTA
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
帶盒（TB）
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
400mV @ 50mA，500mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 100mA，1V
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引線
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-92-3
- 描述：
TRANS NPN 20V 0.5A TO92-3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
05+ |
原廠原裝 |
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