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KST55分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

KST55
廠商型號

KST55

參數(shù)屬性

KST55 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

功能描述

Driver Transistor

絲印標(biāo)識

2H

封裝外殼

SOT-23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

44.97 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-19 11:56:00

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KST55規(guī)格書詳情

Driver Transistor

? Collector-Emitter Voltage: VCEO = KST55: - 60V KST56: - 80V

? Collector Power Dissipation: PC (max) = 350mW

? Complement to KST05/06

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    KST5551MTF

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    200mV @ 5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 10mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    300MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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