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LET8180中文資料意法半導體數(shù)據手冊PDF規(guī)格書

LET8180
廠商型號

LET8180

功能描述

RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology

文件大小

33.55 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網

原廠標識
數(shù)據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-23 8:01:00

LET8180規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The LET8180 is a common source N-Channel enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 1.0 GHz. The LET8180 is designed for high gain and broadband performance operating in common source mode at 32 V. Its internal matching makes it ideal for base station applications requiring high linearity.

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL MOSFETs

? EXCELLENT THERMAL STABILITY

? COMMON SOURCE CONFIGURATION, PUSH-PULL

? POUT = 220 W with 17 dB TYP. gain @ 860 MHz

? BeO FREE PACKAGE

? INTERNAL INPUT MATCHING

? ESD PROTECTION

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法半導體
M243
6000
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ST/意法半導體
21+
M243
8800
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ST/意法半導體
21+
M243
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ST/意法半導體
21+
M243
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ST/意法半導體
22+
M243
16900
原裝現(xiàn)貨,實單價優(yōu)
詢價
STMicroelectronics
2022+
PowerSO-10RF(成形引線)
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22+
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28000
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