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LLE18150X中文資料飛利浦數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

LLE18150X
廠商型號

LLE18150X

功能描述

NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor

文件大小

52 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-16 10:28:00

LLE18150X規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a FO-229 glued cap metal ceramic flange package, with emitter connected to flange.

FEATURES

? Diffused emitter ballasting resistors providing excellent current sharing and withstanding a high VSWR

? Interdigitated structure provides high emitter efficiency

? Gold metallization realizes very good stability of the characteristics and excellent lifetime

? Multicell geometry gives good balance of dissipated power and low thermal resistance

? Internal input and output prematching ensures good stability and allows an easier design of wideband circuits.

APPLICATION

Intended for use in common emitter, class AB amplifiers in CW conditions for professional applications between 1.7 GHz and 2.0 GHz.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    LLE18150X

  • 制造商:

    PHILIPS

  • 制造商全稱:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
HONEYWELL
22+
46200
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