LM5113SDE/NOPB 集成電路（IC）柵極驅動器 TI1/德州儀器

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廠家型號：
LM5113SDE/NOPB
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
Texas Instruments
庫存數(shù)量：
9350
產(chǎn)品封裝：
10-WDFN 裸露焊盤
生產(chǎn)批號：
24+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-3 16:56:00

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詳細信息
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原廠料號：LM5113SDE/NOPB品牌：Texas Instruments

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LM5113SDE/NOPB是集成電路（IC） > 柵極驅動器。制造商Texas Instruments生產(chǎn)封裝10-WDFN 裸露焊盤的LM5113SDE/NOPB柵極驅動器柵極驅動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來自電源轉換應用中控制設備的信號連接到電源被控制通過的半導體設備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅動的半導體配置相關。

芯片型號：
LM5113SDE/NOPB
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
TI1【德州儀器】詳情
廠商全稱：
Texas Instruments
內(nèi)容頁數(shù)：
24 頁
文件大?。?/span>
2435.11 kb
資料說明：
LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
LM5113SDE/NOPB
制造商：
Texas Instruments
類別：
集成電路（IC） > 柵極驅動器
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
驅動配置：
半橋
通道類型：
獨立式
柵極類型：
N 溝道 MOSFET
電壓 - 供電：
4.5V ~ 5.5V
邏輯電壓?- VIL，VIH：
1.76V，1.89V
電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：
1.2A，5A
輸入類型：
非反相
上升/下降時間（典型值）：
7ns，1.5ns
工作溫度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
10-WDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝：
10-WSON（4x4）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

供應商

企業(yè)：
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
許小姐
手機：
13530520535
詢價：
電話：
0755-83201583/83214703
傳真：
0755-22669259
地址：
福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

LM5113SDE/NOPB 集成電路（IC）柵極驅動器 TI1/德州儀器

LM5113SDE/NOPB

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