LM5113SDE集成電路（IC）的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
LM5113SDE |
| 參數(shù)屬性 | LM5113SDE 封裝/外殼為10-WDFN 裸露焊盤；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為集成電路（IC）的柵極驅(qū)動器；產(chǎn)品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON |
| 功能描述 | LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs |
| 封裝外殼 | 10-WDFN 裸露焊盤 |
| 文件大小 |
2.43511 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
24 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Texas Instruments |
| 企業(yè)簡稱 |
TI1【德州儀器】 |
| 中文名稱 | 德州儀器官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-2 23:00:00 |
LM5113SDE規(guī)格書詳情
LM5113SDE屬于集成電路（IC）的柵極驅(qū)動器。由德州儀器制造生產(chǎn)的LM5113SDE柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動的半導(dǎo)體配置相關(guān)。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
LM5113SDE/NOPB
- 制造商：
Texas Instruments
- 類別：
集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 驅(qū)動配置：
半橋
- 通道類型：
獨(dú)立式
- 柵極類型：
N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電：
4.5V ~ 5.5V
- 邏輯電壓?- VIL，VIH：
1.76V，1.89V
- 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：
1.2A，5A
- 輸入類型：
非反相
- 上升/下降時間（典型值）：
7ns，1.5ns
- 工作溫度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
10-WDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
10-WSON（4x4）
- 描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州儀器) |
23+ |
WSON10(4x4) |
7350 |
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TI(德州儀器) |
23+ |
WSON10(4x4) |
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TI/德州儀器 |
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10-WSON |
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TI |
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10-WSON |
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