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LM5113TME集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料

LM5113TME
廠商型號

LM5113TME

參數(shù)屬性

LM5113TME 封裝/外殼為12-WFBGA,DSBGA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

功能描述

LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

封裝外殼

12-WFBGA,DSBGA

文件大小

2.43511 Mbytes

頁面數(shù)量

24

生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI1德州儀器

中文名稱

德州儀器官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-20 17:34:00

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LM5113TME規(guī)格書詳情

LM5113TME屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器。由德州儀器制造生產(chǎn)的LM5113TME柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應用中控制設備的信號連接到電源被控制通過的半導體設備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動的半導體配置相關。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    LM5113TME/NOPB

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 驅(qū)動配置:

    半橋

  • 通道類型:

    獨立式

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    1.76V,1.89V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    1.2A,5A

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    7ns,1.5ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    12-WFBGA,DSBGA

  • 供應商器件封裝:

    12-DSBGA

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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