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LM5113TME集成電路(IC)的柵極驅動器規(guī)格書PDF中文資料

LM5113TME
廠商型號

LM5113TME

參數屬性

LM5113TME 封裝/外殼為12-WFBGA,DSBGA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為集成電路(IC)的柵極驅動器;產品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

功能描述

LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

封裝外殼

12-WFBGA,DSBGA

文件大小

2.43511 Mbytes

頁面數量

24

生產廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI1德州儀器

中文名稱

德州儀器官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-2-13 22:59:00

LM5113TME規(guī)格書詳情

LM5113TME屬于集成電路(IC)的柵極驅動器。由德州儀器制造生產的LM5113TME柵極驅動器柵極驅動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉換應用中控制設備的信號連接到電源被控制通過的半導體設備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅動的半導體配置相關。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    LM5113TME/NOPB

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅動器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 驅動配置:

    半橋

  • 通道類型:

    獨立式

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    1.76V,1.89V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    1.2A,5A

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    7ns,1.5ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    12-WFBGA,DSBGA

  • 供應商器件封裝:

    12-DSBGA

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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