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M10082040054X0PWAR集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料

M10082040054X0PWAR
廠商型號

M10082040054X0PWAR

參數(shù)屬性

M10082040054X0PWAR 封裝/外殼為8-WDFN 裸露焊盤;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC RAM 8MBIT 54MHZ 8DFN

功能描述

High Performance Serial MRAM Memory
IC RAM 8MBIT 54MHZ 8DFN

文件大小

1.14047 Mbytes

頁面數(shù)量

52

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-20 16:18:00

M10082040054X0PWAR規(guī)格書詳情

Features

? Interface

? Serial Peripheral Interface QSPI (4-4-4)

? Single Data Rate Mode: 108MHz

? Double Data Rate Mode: 54MHz

? Technology

? 40nm pMTJ STT-MRAM

Virtually unlimited Endurance and Data Retention (see

Endurance and Data Retention specification in Table 31)

? Density

? 4Mb, 8Mb, 16Mb

? Operating Voltage Range

? VCC: 1.71V – 2.00V

? VCC: 2.70V – 3.60V

? Operating Temperature Range

? Industrial: -40°C to 85°C

? Industrial Plus: -40°C to 105°C

? Packages

? 8-pad DFN (WSON) (5.0mm x 6.0mm)

? 8-pin SOIC (5.2mm x 5.2mm)

? Data Protection

? Hardware Based: Write Protect Pin (WP#)

Software Based: Address Range Selectable through

Configuration bits (Top/Bottom, Block Protect[2:0])

M10082040054X0PWAR屬于集成電路(IC) > 存儲器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的M10082040054X0PWAR存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    M10082040054X0PWAR

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    RAM

  • 技術(shù):

    MRAM(磁阻式 RAM)

  • 存儲容量:

    8Mb(2M x 4)

  • 電壓 - 供電:

    1.71V ~ 2V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 105°C

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-WDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-DFN(5x6)

  • 描述:

    IC RAM 8MBIT 54MHZ 8DFN

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS(瑞薩)/IDT
2021+
SOIC-8
499
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RENESAS(瑞薩)/IDT
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DFN-8(5x6)
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