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M28F101-200XN6

1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY

DESCRIPTION TheM28F101FLASHMemoryisanon-volatilememorywhichmaybeerasedelectricallyatthe chiplevelandprogrammedbyte-by-byte.Itisorganisedas128Kbytesof8bits.Itusesacommandregisterarchitecturetoselecttheoperatingmodesandthusprovidesasimplemicroprocess

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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更多M28F101-200XN6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-10 11:00:00

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