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M29W400DB70N6F TR

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP

Micron Technology Inc.

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M29W400DB70N6

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

M29W400DB70N6

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,bootblock)3VsupplyFlashmemory

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M29W400DB70N6

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,bootblock)3VsupplyFlashmemory

NUMONYX

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M29W400DB70N6E

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,bootblock)3VsupplyFlashmemory

NUMONYX

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4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,bootblock)3VsupplyFlashmemory

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

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M29W400DB70N6F

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,bootblock)3VsupplyFlashmemory

NUMONYX

numonyx

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4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,bootblock)3VsupplyFlashmemory

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

M29W400DB70N6F

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

M29W400DB70N6T

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,bootblock)3VsupplyFlashmemory

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

M29W400DB70N6T

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,bootblock)3VsupplyFlashmemory

NUMONYX

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M29W400DB70N6T

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    M29W400DB70N6F TR

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    FLASH - NOR

  • 存儲容量:

    4Mb(512K x 8,256K x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    70ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    48-TSOP I

  • 描述:

    IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MICRON/美光
23+
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MICRON/美光
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本公司只售原裝 支持實單
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48-TSOP
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原裝正品現(xiàn)貨庫存QQ:2987726803
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更多M29W400DB70N6F TR供應(yīng)商 更新時間2024-11-15 10:59:00