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M29W800DT70ZE6E

8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory

Description TheM29W800Disa8-Mbit(1Mbitx8or512Kbitsx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsreadmodewhereitcanbereadinthesame

NUMONYX

numonyx

M29W800DT70ZE6E

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

TheM29W800Disa8Mbit(1Mbx8or512Kbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply. Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamewayasaROMor

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

M29W800DT70ZE6F

8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory

Description TheM29W800Disa8-Mbit(1Mbitx8or512Kbitsx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsreadmodewhereitcanbereadinthesame

NUMONYX

numonyx

M29W800DT70ZE6F

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

TheM29W800Disa8Mbit(1Mbx8or512Kbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply. Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamewayasaROMor

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

M29W800DT70ZE6T

8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory

Description TheM29W800Disa8-Mbit(1Mbitx8or512Kbitsx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsreadmodewhereitcanbereadinthesame

NUMONYX

numonyx

M29W800DT70ZE6T

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

TheM29W800Disa8Mbit(1Mbx8or512Kbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply. Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamewayasaROMor

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

M29W800DT70ZE6E

Package：48-TFBGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

M29W800DT70ZE6F TR

Package：48-TFBGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    M29W800DT70ZE6E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NOR

  • 存儲(chǔ)容量：

    8Mb（1M x 8，512K x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    70ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-TFBGA（6x8）

  • 描述：

    IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
MICRON/美光
22+
NA
3000
支持任何機(jī)構(gòu)檢測 只做原裝正品
 詢價(jià)
MICRON/美光
23+
BGA48
98900
原廠原裝正品現(xiàn)貨!!
 詢價(jià)
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24+
BGA
23000
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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2024+
N/A
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柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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BGA
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保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票
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Numonyx/STMi
23+
48-TFBGA
65480
詢價(jià)
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2020+
BGA
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
 詢價(jià)
更多M29W800DT70ZE6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-7 8:38:00

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