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M58LT256JSB8ZA6E

256 Mbit (16 Mb ? 16, multiple bank, multilevel, burst) 1.8 V supply, secure Flash memories

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

M58LT256JSB8ZA6E

256 Mbit (16 Mb ? 16, multiple bank, multilevel, burst) 1.8 V supply, secure Flash memories

NUMONYX

numonyx

M58LT256JSB8ZA6E

Package：80-LBGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC FLASH 256MBIT PARALLEL 80LBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

M58LT256JSB8ZA6

256Mbit(16Mb?16,multiplebank,multilevel,burst)1.8Vsupply,secureFlashmemories

NUMONYX

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M58LT256JSB8ZA6

256Mbit(16Mb?16,multiplebank,multilevel,burst)1.8Vsupply,secureFlashmemories

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

M58LT256JSB8ZA6F

256Mbit(16Mb?16,multiplebank,multilevel,burst)1.8Vsupply,secureFlashmemories

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

M58LT256JSB8ZA6F

256Mbit(16Mb?16,multiplebank,multilevel,burst)1.8Vsupply,secureFlashmemories

NUMONYX

numonyx

M58LT256JSB8ZA6T

256Mbit(16Mb?16,multiplebank,multilevel,burst)1.8Vsupply,secureFlashmemories

NUMONYX

numonyx

M58LT256JSB8ZA6T

256Mbit(16Mb?16,multiplebank,multilevel,burst)1.8Vsupply,secureFlashmemories

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    M58LT256JSB8ZA6E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NOR

  • 存儲容量：

    256Mb（16M x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    85ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 2V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    80-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    80-LBGA（10x12）

  • 描述：

    IC FLASH 256MBIT PARALLEL 80LBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Micron
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更多M58LT256JSB8ZA6E供應(yīng)商 更新時間2025-1-17 16:50:00

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