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M58LT256JSB8ZA6F

256 Mbit (16 Mb ? 16, multiple bank, multilevel, burst) 1.8 V supply, secure Flash memories

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

M58LT256JSB8ZA6F

256 Mbit (16 Mb ? 16, multiple bank, multilevel, burst) 1.8 V supply, secure Flash memories

NUMONYX

numonyx

M58LT256JSB8ZA6F TR

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：80-LBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC FLASH 256MBIT PARALLEL 80LBGA

Micron Technology Inc.

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M58LT256JSB8ZA6

256Mbit(16Mb?16,multiplebank,multilevel,burst)1.8Vsupply,secureFlashmemories

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意法半導體意法半導體集團

M58LT256JSB8ZA6

256Mbit(16Mb?16,multiplebank,multilevel,burst)1.8Vsupply,secureFlashmemories

NUMONYX

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M58LT256JSB8ZA6E

256Mbit(16Mb?16,multiplebank,multilevel,burst)1.8Vsupply,secureFlashmemories

NUMONYX

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M58LT256JSB8ZA6E

256Mbit(16Mb?16,multiplebank,multilevel,burst)1.8Vsupply,secureFlashmemories

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

M58LT256JSB8ZA6T

256Mbit(16Mb?16,multiplebank,multilevel,burst)1.8Vsupply,secureFlashmemories

NUMONYX

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M58LT256JSB8ZA6T

256Mbit(16Mb?16,multiplebank,multilevel,burst)1.8Vsupply,secureFlashmemories

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詳細參數

  • 型號：

    M58LT256JSB8ZA6F

  • 功能描述：

    IC FLASH 256MBIT 85NS 64TBGA

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    2,000

  • 系列：

    MoBL® 格式 -

  • 存儲器：

    RAM

  • 存儲器類型：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    16M（2M x 8，1M x 16）

  • 速度：

    45ns

  • 接口：

    并聯

  • 電源電壓：

    2.2 V ~ 3.6 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    48-VFBGA

  • 供應商設備封裝：

    48-VFBGA（6x8）

  • 包裝：

    帶卷(TR)

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多M58LT256JSB8ZA6F供應商 更新時間2025-1-2 18:32:00

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