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M58WR064EB70ZB6T

64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory

SUMMARYDESCRIPTION TheM58WR064Eisa64Mbit(4Mbitx16)non-volatileFlashmemorythatmaybeerasedelectricallyatblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasisusinga1.65Vto2.2VVDDsupplyforthecircuitryanda1.65Vto3.3VVDDQsupplyfortheInput/Outputpins.Anopt

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

M58WR064EB70ZB6T

包裝:托盤 封裝/外殼:56-VFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56VFBGA

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    M58WR064EB70ZB6T

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    FLASH - NOR

  • 存儲容量:

    64Mb(4M x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    70ns

  • 電壓 - 供電:

    1.65V ~ 2.2V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    56-VFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    56-VFBGA(7.7x9)

  • 描述:

    IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56VFBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多M58WR064EB70ZB6T供應(yīng)商 更新時間2025-1-8 15:13:00