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MA4AGBLP912

AlGaAs Beam Lead PIN Diode

Description M/A-COMsMA4AGBLP912isanAluminum-Gallium-ArsenideAnodeEnhanced,BeamLeadPINDiode.AlGaAsanodes,whichutilizeM/A-COM’spatentpendinghetero-junctiontechnology,producelessdiode“On”resistancethanconventionalGaAsdevices.ThesedevicesarefabricatedonaOMCVDepitax

MACOM

Tyco Electronics

MA4AGBLP912

AlGaAs Beamlead PIN Diode

Description M/A-COMTechnologySolutionsMA4AGBLP912isanAluminum-Gallium-Arsenideanodeenhanced,beamleadPINdiode.AlGaAsanodes,whichutilizeM/A-COMTech’spatentpendinghetero-junctiontechnology,producelessdiode“On”resistancethanaconventionalGaAsdevice.Thisdeviceisfabri

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M/A-COM Technology Solutions, Inc.

MA4AGBLP912

AlGaAs Beamlead PIN Diode

Description M/A-COMTechnologySolutionsMA4AGBLP912isanAluminum-Gallium-Arsenideanodeenhanced,beamleadPINdiode.AlGaAsanodes,whichutilizeM/A-COMTech’spatentpendinghetero-junctiontechnology,producelessdiode“On”resistancethanaconventionalGaAsdevice.Thisdeviceisfabri

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M/A-COM Technology Solutions, Inc.

MA4AGBLP912

包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 射頻 描述：RF DIODE PIN 50V

MACOM Technology Solutions

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MA4AGBLP912_V3

AlGaAs Beamlead PIN Diode

Description M/A-COMTechnologySolutionsMA4AGBLP912isanAluminum-Gallium-Arsenideanodeenhanced,beamleadPINdiode.AlGaAsanodes,whichutilizeM/A-COMTech’spatentpendinghetero-junctiontechnology,producelessdiode“On”resistancethanaconventionalGaAsdevice.Thisdeviceisfabri

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M/A-COM Technology Solutions, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MA4AGBLP912

  • 制造商：

    MACOM Technology Solutions

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 二極管類型：

    PIN - 單

  • 電壓 - 峰值反向（最大值）：

    50V

  • 不同?Vr、F 時電容：

    0.03pF @ 5V，1MHz

  • 不同?If、F 時電阻：

    4.9 歐姆 @ 20mA，1GHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 125°C（TJ）

  • 描述：

    RF DIODE PIN 50V

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MACOM Technology Solutions
24+
NA
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二極管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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1321+ROHS全新
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原裝現(xiàn)貨在線咨詢樣品※技術(shù)支持專業(yè)電子元器件授權(quán)
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2623
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更多MA4AGBLP912供應(yīng)商 更新時間2025-2-10 16:31:00

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