MA4E2502H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
MA4E2502H |
| 參數(shù)屬性 | MA4E2502H 封裝/外殼為模具；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-射頻；產(chǎn)品描述：RF DIODE SCHOTTKY 5V 50MW DIE |
| 功能描述 | SURMOUNTTM Low, Medium, and High Barrier Silicon Schottky Diodes |
| 文件大小 |
115.68 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | M/A-COM Technology Solutions, Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
MA-COM |
| 中文名稱 | M/A-COM Technology Solutions, Inc.官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-6 18:48:00 |
MA4E2502H規(guī)格書詳情
Description and Applications
The MA4E2502 SURMOUNTTM Series Diodes are Silicon Low, Medium, and High Barrier Schottky
Devices fabricated with the patented Heterolithic Microwave Integrated Circuit (HMIC) process.
HMIC circuits consist of Silicon pedestals which form diodes or via conductors embedded in a glass dielectric, which acts as the low dispersion, micro strip transmission medium. The combination of silicon and glass allows HMIC devices to have excellent loss and power dissipation characteristics in a low profile, reliable device.
Features
? Extremely Low Parasitic Capitance and Inductance
? Surface Mountable in Microwavable Circuits, No Wirebonds Required
? Rugged HMIC Construction with Polyimide Scratch Protection
? Reliable, Multilayer Metalization with a Diffusion Barrier, 100 Stabilization Bake (300°C, 16
hours)
? Lower Susceptibility to ESD Damage
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
MA4E2502H-1246
- 制造商：
MACOM Technology Solutions
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 射頻
- 包裝：
托盤
- 二極管類型：
肖特基
- 電壓 - 峰值反向（最大值）：
5V
- 不同?Vr、F 時(shí)電容：
0.12pF @ 0V，18GHz
- 工作溫度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
- 封裝/外殼：
模具
- 供應(yīng)商器件封裝：
模具
- 描述：
RF DIODE SCHOTTKY 5V 50MW DIE
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MACOM |
/ROHS.original |
NA |
10501 |
射頻元件二極管-正納電子/ 原材料及元器件 |
詢價(jià) | ||
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