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MIR521	文件：433.31 Kbytes Page：6 Pages	2WattsHighIn/OutIsolationDIPDC/DCConvertersSingleandDualOutputs	TOTAL-POWER Total Power International	TOTAL-POWER
MIR521	文件：236.06 Kbytes Page：6 Pages	2W,Ultra-HighIsolationDIP,Single&DualOutputDC/DCConverters	MINMAXMinmax Technology Co., Ltd. 捷拓科技臺(tái)灣捷拓科技股份有限公司	MINMAX
MJE521	文件：45.84 Kbytes Page：4 Pages	SILICONNPNTRANSISTOR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
MJE521	文件：61.55 Kbytes Page：4 Pages	SILICONNPNTRANSISTOR DESCRIPTION TheMJE521isasiliconEpitaxial-BaseNPNtransistorinJedecSOT-32plasticpackage. Itisintendedforusein5to20Waudioamplifiers,generalpurposeamplifierandswitchingcircuits. ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
MJE521	文件：128.78 Kbytes Page：4 Pages	4AMPEREPOWERTRANSISTORNPNSILICON40VOLTS40WATTS PlasticMedium-PowerNPNSiliconTransistor ...designedforuseingeneral–purposeamplifierandswitchingcircuits.Recommendedforusein5to10Wattaudioamplifiersutilizingcomplementarysymmetrycircuitry. ?DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=1.0Adc ?Complementaryto	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MJE521	文件：67.68 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium??owerNPNSiliconTransistor Thesedevicesaredesignedforuseingeneral?purposeamplifierandswitchingcircuits.Recommendedforusein5to10Wattaudioamplifiersutilizingcomplementarysymmetrycircuitry. Features ?DCCurrentGain?hFE=40(Min)@IC =1.0Adc ?Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJE521	文件：70.19 Kbytes Page：1 Pages	SILICONCOMPLEMENTRYPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTORMJE371,MJE521typesareComplementarySiliconPowerTransistorsdesignedforuseingeneralamplifierandswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體	Central
MJE521	文件：142.94 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ?Collector–EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=40V(Min) ?DCCurrentGain- :hFE=40(Min)@IC=1A ?ComplementtoTypeMJE371 APPLICATIONS ?Designedforuseingeneral?purposeamplifierand switchingcircuitsapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJE521G	文件：67.68 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium??owerNPNSiliconTransistor Thesedevicesaredesignedforuseingeneral?purposeamplifierandswitchingcircuits.Recommendedforusein5to10Wattaudioamplifiersutilizingcomplementarysymmetrycircuitry. Features ?DCCurrentGain?hFE=40(Min)@IC =1.0Adc ?Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MMDT521DW	文件：219.06 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarDigitalTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarDigitalTransistor	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMDT521EW	文件：219.06 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarDigitalTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarDigitalTransistor	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMDT521FW	文件：219.06 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarDigitalTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarDigitalTransistor	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMDT521KW	文件：219.06 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarDigitalTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarDigitalTransistor	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
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MUR521	文件：60.03 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒濟(jì)南晶恒電子有限責(zé)任公司	JINGHENG

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