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FDD86367

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features ?VDS=80V,ID=95A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

FDD86367

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.2mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FDD86367

N-ChannelPowerTrenchMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

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更多MB86367PFV-G-BND供應商 更新時間2025-1-9 11:02:00

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