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MBRB10100CT-8W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowerpowerlosses,highefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Highforwardsurgecapability ?Highfrequencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof 245°C ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

MBRB10100CT-8W

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多MBRB10100CT-8W供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-7 10:20:00

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