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MC3423DR2G電路保護(hù)的TVS-混合技術(shù)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MC3423DR2G
廠商型號(hào)

MC3423DR2G
參數(shù)屬性

MC3423DR2G 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝為卷帶（TR）；類(lèi)別為電路保護(hù)的TVS-混合技術(shù)；MC3423DR2G應(yīng)用范圍：通用；產(chǎn)品描述：IC SENSOR OVERVOLTAGE 8-SOIC
功能描述

Overvoltage Crowbar Sensing Circuit
IC SENSOR OVERVOLTAGE 8-SOIC
封裝外殼

8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
文件大小

86.82 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱(chēng)

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-2-10 10:36:00

MC3423DR2G規(guī)格書(shū)詳情

MC3423DR2G屬于電路保護(hù)的TVS-混合技術(shù)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MC3423DR2GTVS - 混合技術(shù)混合技術(shù) TVS（瞬態(tài)電壓抑制器）產(chǎn)品族中的產(chǎn)品屬于過(guò)壓保護(hù)產(chǎn)品，其中結(jié)合了基于多種技術(shù)的保護(hù)機(jī)制，例如串聯(lián)連接的 MOV（金屬氧化物壓敏電阻）和 GDT（氣體放電管），旨在同時(shí)獲得低漏電流和自恢復(fù)箝位工作特性。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MC3423DR2G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類(lèi)別：

    電路保護(hù) > TVS - 混合技術(shù)

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 技術(shù)：

    混合技術(shù)

  • 應(yīng)用：

    通用

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC SENSOR OVERVOLTAGE 8-SOIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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