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MC80N10B-AA-AR

Marking：MC80N10B；N-CHANNEL MOSFET

APPLICATIONS ?LEDapplications ?LoadSwitch ?SynchronousRectification inDC/DCandAC/DC Converters FEATURES ?TrenchPowerMOSFET Technology ?LowRDS（ON） ?Lowgatecharge ?Fast-switching

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

80N10

N-Channel100-V(D-S)175?CMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

80N10L

N-Channel100-V(D-S)175?CMOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CMaximumJunctionTemperature ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

BR80N10

N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

BR80N10

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

BRB80N10

N-CHANNELMOSFETinaTO-263PlasticPackage

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

DTP80N10

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

HMS80N10KA

N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司

IXFC80N10

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=12.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFC80N10

HiPerFETTMMOSFETISOPLUS220

HiPerFET?MOSFETISOPLUS220? ElectricallyIsolatedBackSurface Features ●SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ●Lowdraintotabcapacitance(

IXYS

IXYS Corporation

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更多MC80N10B-AA-AR供應商 更新時間2025-1-28 14:06:00

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