MDS1100分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MDS1100 |
| 參數(shù)屬性 | MDS1100 封裝/外殼為55TU-1；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1 |
| 功能描述 | a high power COMMON BASE bipolar transistor. |
| 封裝外殼 | 55TU-1 |
| 文件大小 |
121.67 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-25 17:29:00 |
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MDS1100規(guī)格書詳情
MDS1100屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由美高森美公司制造生產(chǎn)的MDS1100晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
GENERAL DESCRIPTION
The MDS1100 is a high power COMMON BASE bipolar transistor. It is designed for pulsed systems at 1030 MHz, with the pulse width and duty required for MODE-S applications. The device has gold thin-film metalization and emitter ballasting for proven highest MTTF. The transistor includes input
and output prematch for broadband capability. Low thermal resistance package reduces junction temperature, extends life.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Maximum Power Dissipation
Device Dissipation @ 25°C1 8750 W
Maximum Voltage and Current
Collector to Base Voltage (BVces) 65 V
Emitter to Base Voltage (BVebo) 4.5 V
Collector Current (Ic) 100 A
Maximum Temperatures
Storage Temperature -65 to +200 °C
Operating Junction Temperature +200 °C
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
MDS1100
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
65V
- 頻率 - 躍遷：
1.03GHz
- 增益：
8.9dB
- 功率 - 最大值：
8750W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 5A，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
100A
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
55TU-1
- 供應(yīng)商器件封裝：
55TU-1
- 描述：
RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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