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    首頁>MDS150>規(guī)格書詳情

    MDS150分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

    MDS150
    廠商型號

    MDS150

    參數(shù)屬性

    MDS150 封裝/外殼為55AW;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 60V 1.09GHZ 55AW

    功能描述

    150 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 1030 - 1090 MHz
    RF TRANS NPN 60V 1.09GHZ 55AW

    封裝外殼

    55AW

    文件大小

    216.55 Kbytes

    頁面數(shù)量

    3

    生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
    企業(yè)簡稱

    Microsemi美高森美

    中文名稱

    美高森美公司官網(wǎng)

    原廠標識
    數(shù)據(jù)手冊

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    更新時間

    2025-3-15 17:27:00

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    MDS150規(guī)格書詳情

    MDS150屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由美高森美公司制造生產(chǎn)的MDS150晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

    產(chǎn)品屬性

    更多
    • 產(chǎn)品編號:

      MDS150

    • 制造商:

      Microsemi Corporation

    • 類別:

      分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

    • 包裝:

      散裝

    • 晶體管類型:

      NPN

    • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

      60V

    • 頻率 - 躍遷:

      1.03GHz ~ 1.09GHz

    • 增益:

      10dB

    • 功率 - 最大值:

      350W

    • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

      20 @ 500mA,5V

    • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

      4A

    • 工作溫度:

      200°C(TJ)

    • 安裝類型:

      底座安裝

    • 封裝/外殼:

      55AW

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      55AW

    • 描述:

      RF TRANS NPN 60V 1.09GHZ 55AW

    供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
    ST
    23+
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