MDS150分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
MDS150 |
參數(shù)屬性 | MDS150 封裝/外殼為55AW;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 60V 1.09GHZ 55AW |
功能描述 | Glass Passivated Three Phase Rectifier Bridge |
封裝外殼 | 55AW |
文件大小 |
583.46 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Nanjing International Group Co |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
DGNJDZ【南晶電子】 |
中文名稱 | 東莞市南晶電子有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-5-15 18:19:00 |
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更多產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
MDS150
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
60V
- 頻率 - 躍遷:
1.03GHz ~ 1.09GHz
- 增益:
10dB
- 功率 - 最大值:
350W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 500mA,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
4A
- 工作溫度:
200°C(TJ)
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
55AW
- 供應(yīng)商器件封裝:
55AW
- 描述:
RF TRANS NPN 60V 1.09GHZ 55AW
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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