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ME90N03P	文件：995.72 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MI90N03	文件：1.00254 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NDT90N03	文件：1.93183 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
NP90N03VHG	文件：227.4 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP90N03VHGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=3.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) ?Lowinputcapacitance ?Ciss=5000pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Designedfor	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP90N03VHG	文件：1.00246 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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NP90N03VLG	文件：299.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.2mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP90N03VLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP90N03VLG	文件：1.00244 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NP90N03VLG	文件：237.33 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP90N03VLGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)1=3.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) ?RDS(on)2=8.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=35A) ?Lowinputcapacitance ?Ciss	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP90N03VUG	文件：299.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.2mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP90N03VUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
PJD90N03	文件：446.73 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
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STD90N03L	文件：314.24 Kbytes Page：16 Pages	N-channel30V-0.005廓-80A-DPAK/IPAKSTripFET??IIIPowerMOSFET Description ThisdeviceutilizesthelatestadvanceddesignrulesofST’sproprietarySTripFET?technology.ThisissuitableforthemostdemandingDC-DCconverterapplicationwherehighefficiencyistobeachieved. Generalfeatures ■RDS(on)*Qgindustry’sbenchmark ■Conductionlossesreduce	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
SUP90N03	文件：139.38 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集團(tuán)	TFUNK
TF90N03	文件：5.27333 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET ●GeneralDescription TheTF90N03combinesadvancedtrench MOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealfor loadswitchandbatteryprotectionapplications. ●Features AdvancehighcelldensityTrenchtechnology LowRDS(ON)tominimizec	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓鋒半導(dǎo)體深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司	TUOFENG
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