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NP90N03VLG	文件：1.00244 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NP90N03VLG	文件：237.33 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP90N03VLGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)1=3.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) ?RDS(on)2=8.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=35A) ?Lowinputcapacitance ?Ciss	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP90N03VLG	文件：299.82 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.2mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP90N03VLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP90N03VLG-E1-AY	文件：1.00252 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NP90N03VLG-E1-AY	文件：237.33 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP90N03VLGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)1=3.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) ?RDS(on)2=8.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=35A) ?Lowinputcapacitance ?Ciss	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP90N03VLG-E2-AY	文件：237.33 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP90N03VLGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)1=3.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) ?RDS(on)2=8.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=35A) ?Lowinputcapacitance ?Ciss	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP90N03VLG-E2-AY	文件：1.00251 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NP90N03VLG_15	文件：237.33 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP90N03VUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP90N03VUG	文件：299.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.2mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
PJD90N03	文件：446.73 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
SK90N03	文件：1.02572 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET,ESDProtected	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科廣東時科微實業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
STD90N03L	文件：1.00331 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
STD90N03L	文件：314.24 Kbytes Page：16 Pages	N-channel30V-0.005廓-80A-DPAK/IPAKSTripFET??IIIPowerMOSFET Description ThisdeviceutilizesthelatestadvanceddesignrulesofST’sproprietarySTripFET?technology.ThisissuitableforthemostdemandingDC-DCconverterapplicationwherehighefficiencyistobeachieved. Generalfeatures ■RDS(on)*Qgindustry’sbenchmark ■Conductionlossesreduce	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
SUP90N03	文件：139.38 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集團	TFUNK
TF90N03	文件：5.27333 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET ●GeneralDescription TheTF90N03combinesadvancedtrench MOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealfor loadswitchandbatteryprotectionapplications. ●Features AdvancehighcelldensityTrenchtechnology LowRDS(ON)tominimizec	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓鋒半導(dǎo)體深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司	TUOFENG
TTG90N03AT	文件：404.38 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelTrenchMOSFET(Preliminary) Features ?TrenchPowerTechnology ?LowRDS(ON) ?LowGateCharge ?OptimizedforFast-switchingApplications Applications ?SynchronousRectificationinDC/DCandAC/DCConverters ?IsolatedDC/DCConvertersinTelecomandIndustrial	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光國微紫光國芯微電子股份有限公司	WUMC
TTG90N03AT	文件：404.4 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelTrenchMOSFET(Preliminary) Features ?TrenchPowerTechnology ?LowRDS(ON) ?LowGateCharge ?OptimizedforFast-switchingApplications Applications ?SynchronousRectificationinDC/DCandAC/DCConverters ?IsolatedDC/DCConvertersinTelecomandIndustrial	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光國微紫光國芯微電子股份有限公司	WUMC
UT90N03	文件：231.77 Kbytes Page：6 Pages	90A,30VN-CHANNEL(D-S)POWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC

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