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NP90N04PUH	文件：345.63 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP90N04PUH	文件：345.63 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP90N04PUH	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP90N04VDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP90N04VDG	文件：323.07 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP90N04VDGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Logiclevel ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=4.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) RDS(on)2=8.6mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=35A) ?Highcurrentra	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP90N04VDG	文件：299.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP90N04VDK	文件：2.30948 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
NP90N04VDK	文件：300.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP90N04VDK	文件：273.08 Kbytes Page：8 Pages	40V–90A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.8m?MAX.(VGS=10V,ID=45A) ?LowCiss:Ciss=3900pFTYP.(VDS=25V) ?Logicleveldrivetype ?DesignedforautomotiveapplicationandAEC-Q101qualified	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP90N04VLG	文件：299.73 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP90N04VLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP90N04VLK	文件：640.01 Kbytes Page：8 Pages	40V–90A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.8m?MAX.(VGS=10V,ID=45A) ?LowCiss:Ciss=3800pFTYP.(VDS=25V) ?Logicleveldrivetype ?DesignedforautomotiveapplicationandAEC-Q101qualified	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP90N04VLK	文件：300.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP90N04VUG	文件：298.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP90N04VUG	文件：1.32816 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
NP90N04VUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP90N04VUK	文件：299.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP90N04VUK	文件：271.19 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP90N04VUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.8m?MAX.(VGS=10V,ID=45A) ?LowCiss:Ciss=3900pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationan	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP90N04VUK	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP90N04VUK	文件：111.62 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP90N04VUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) ?LowCiss:Ciss=3900pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationa	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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