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MGB15N35CLT4中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
MGB15N35CLT4規(guī)格書詳情
Internally Clamped N-Channel IGBT
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over–Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.
? Gate–Emitter ESD Protection
? Temperature Compensated Gate–Collector Voltage Clamp Limits Stress Applied to Load
? Integrated ESD Diode Protection
? Low Threshold Voltage to Interface Power Loads to Logic or Microprocessor Devices
? Low Saturation Voltage
? High Pulsed Current Capability
? Optional Gate Resistor (RG)
產(chǎn)品屬性
- 型號：
MGB15N35CLT4
- 功能描述：
IGBT 晶體管 15A 350V Ignition
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
650 V
- 集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
- 柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流：
150 A
- 柵極—射極漏泄電流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封裝/箱體：
TO-247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2016+ |
TO263 |
15766 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
ON |
23+ |
TO263 |
20000 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ON |
589220 |
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量 |
詢價 | ||||
ON |
23+ |
TO-263 |
2400 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-263 |
24190 |
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
ON |
24+ |
TO-263 |
35200 |
一級代理/放心采購 |
詢價 | ||
ON |
24+ |
90000 |
詢價 | ||||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-263 |
18000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
ON |
22+ |
TO263 |
25000 |
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 |
