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MGB15N35CLT4

Internally Clamped N-Channel IGBT

InternallyClampedN-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver–Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvolt

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MGB15N35CLT4

Ignition IGBT 15 Amps, 350 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    MGB15N35CLT4

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 15A 350V Ignition

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON
SOT-263
30216
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
 詢價
ON
24+
90000
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ON
2016+
TO263
15766
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16+
TO263
8000
原裝現(xiàn)貨請來電咨詢
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23+
TO263
20000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
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ON/安森美
23+
SOT-263
24190
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
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1709+
SOT-263
32500
普通
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ON/安森美
22+
SOT-263
20000
保證原裝正品,假一陪十
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ON/安森美
21+
SOT-263
30000
優(yōu)勢供應(yīng) 實單必成 可13點增值稅
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更多MGB15N35CLT4供應(yīng)商 更新時間2025-1-12 14:00:00

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