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MGB15N35CLT4

Internally Clamped N-Channel IGBT

InternallyClampedN-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver–Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvolt

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MGB15N35CLT4

Ignition IGBT 15 Amps, 350 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    MGB15N35CLT4

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 15A 350V Ignition

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ON
SOT-263
30216
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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ON
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90000
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ON/安森美
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SOT-263
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SOT-263
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優(yōu)勢(shì)供應(yīng) 實(shí)單必成 可13點(diǎn)增值稅
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更多MGB15N35CLT4供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-29 14:00:00