MGF1801B中文資料三菱電機(jī)數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
MGF1801B規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The MGF1801B, medium-power GaAs FET with an N-channel Schottky gate, is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metalceramic package assures minimum parasitic losses, and has a configuration suitable for microstrip circuits.
FEATURES
? High output power at 1dB gain compression
P1dB=23dBm(TYP.) @f=8GHz
? High linear power gain
GLP=9dB(TYP.) @f=8GHz
? High reliability and stability
APPLICATION
S to X band medium-power amplifiers and oscillators.
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
MGF1801B
- 制造商：
MITSUBISHI
- 制造商全稱：
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述：
MICROWAVE POWER GaAs FET
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
NA/ |
1600 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
MIT |
N/A |
899933 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價(jià) | |||
MIT |
589220 |
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤 更多數(shù)量 |
詢價(jià) | ||||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢 |
詢價(jià) | ||
MIT |
24+ |
146 |
詢價(jià) | ||||
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
2988 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | |||
MITSUBI |
22+ |
NA |
18000 |
原裝現(xiàn)貨原盒原包.假一罰十 |
詢價(jià) | ||
QORVO |
24+ |
SMD |
5000 |
QORVO“芯達(dá)集團(tuán)”專營品牌原裝正品假一罰十 |
詢價(jià) | ||
SETSUYOASTEC |
22+ |
NA |
10500 |
只有原裝 低價(jià) 實(shí)單必成 |
詢價(jià) | ||
MIT |
01+ |
N/A |
29 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) |
