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MIO-5350

Intel?PentiumN4200CeleronN3350&Atom??E3950/E3940/E3930,3.5

ADVANTECHAdvantech Co., Ltd.

研華科技研華科技（中國）有限公司

PB5350

50VlowVCEsatPNPtransistor

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS5350D

PNPtransistor

DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSC-74plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4350D. FEATURES ?Highcurrentcapabilities ?LowVCEsat. APPLICATIONS ?Heavydutybatterypoweredequipment(Automotive,TelecomandAudio/Video)suchasmotorandlampdrivers ?VCEsatcriticalapplica

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS5350D

50VlowVCEsatPNPtransistor

Generaldescription 150WLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom2500MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Excellentruggedness ■Highefficiency ■LowRthprovidingexcellentthermalstability ■Designedforbroadbandoperation(2500MHzto2700MHz) ■

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PBSS5350D

LowVCEsat(BISS)transistors

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS5350D

50V,3APNPlowVCEsattransistor

1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinasmallSOT457(SC-74)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS4350D 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Highcurrentcapability ?Highefficiencyduetolessheatgenera

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS5350D-Q

50V,3APNPlowVCEsattransistor

1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinasmallSOT457(SC-74)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS4350D-Q 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Highcurrentcapability ?Highefficiencyduetolessheatgene

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS5350PAS

50V,3APNPlowVCEsattransistor

1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4350PAS 2.Featuresandbenefits ?DFN2020D-3(SOT1061D)package ?Lowcollector-emittersaturati

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS5350PAS-Q

50V,3APNPlowVCEsattransistor

1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4350PAS-Q 2.Featuresandbenefits ?DFN2020D-3(SOT1061D)package ?Lowcollector-emittersatura

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS5350S

Highpowerdissipation(830mW)

DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT54plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4350S. FEATURES ?Highpowerdissipation(830mW) ?Ultralowcollector-emittersaturationvoltage ?3Acontinuouscurrent ?Highcurrentswitching ?Improveddevicereliabilityduetoreducedheat g

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

詳細參數

  • 型號：

    MIC5350-MMYMT TR

  • 功能描述：

    低壓差穩(wěn)壓器 - LDO Dual 500mA/300mA LDO in 2mm x 2mm Thin MLF

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 最大輸入電壓：

    36 V

  • 輸出電壓：

    1.4 V to 20.5 V

  • 回動電壓（最大值）：

    307 mV

  • 輸出電流：

    1 A

  • 負載調節(jié)：

    0.3 %

  • 輸出類型：

    Fixed

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    VQFN-20

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Microchip
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