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MIEB101H1200EH 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - IGBT - 模塊 IXYS

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  • 廠家型號(hào)：

    MIEB101H1200EH

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    IXYS

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    12500

  • 產(chǎn)品封裝：

    N/A

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-7 15:29:00

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原廠料號(hào)：MIEB101H1200EH品牌：IXYS

IXYS全系列在售

MIEB101H1200EH是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商IXYS生產(chǎn)封裝N/A/E3的MIEB101H1200EH晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

  • 芯片型號(hào)：

    MIEB101H1200EH

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大小：

    451.22 kb

  • 資料說明：

    IGBT Module H Bridge

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MIEB101H1200EH

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    托盤

  • 配置：

    全橋反相器

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，100A

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    無

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    E3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    E3

  • 描述：

    IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市星辰微電科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    吳先生

  • 手機(jī)：

    17375148621

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82713279

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)紅荔路3011號(hào)上步工業(yè)區(qū)13棟上步工業(yè)區(qū)501棟501棟411

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