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MIEB101H1200EH分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MIEB101H1200EH |
| 參數(shù)屬性 | MIEB101H1200EH 封裝/外殼為E3；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3 |
| 功能描述 | IGBT Module H Bridge |
| 文件大小 |
451.22 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
IXYS |
| 中文名稱 | IXYS Corporation官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-5 19:00:00 |
MIEB101H1200EH規(guī)格書詳情
MIEB101H1200EH屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的MIEB101H1200EH晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
MIEB101H1200EH
- 制造商：
IXYS
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
托盤
- 配置：
全橋反相器
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，100A
- 輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：
無
- 工作溫度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
E3
- 供應(yīng)商器件封裝：
E3
- 描述：
IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
23+ |
Module |
1262 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨,代理渠道,支持訂貨!!! |
詢價(jià) | ||
IXYS |
24+ |
MODULE |
2100 |
一級代理/全新原裝現(xiàn)貨/長期供應(yīng)!!! |
詢價(jià) | ||
24+ |
5000 |
公司存貨 |
詢價(jià) | ||||
IXYS |
2022+ |
E3 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
24+ |
E3 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
19+/20+ |
E3 |
1000 |
主打產(chǎn)品價(jià)格優(yōu)惠.全新原裝正品 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
5000 |
原廠授權(quán)一級代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
MODULE |
13000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
67000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
IXYS |
23+ |
N/A |
12500 |
IXYS全系列在售 |
詢價(jià) |
