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MIEB101W1200EH分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
MIEB101W1200EH |
| 參數(shù)屬性 | MIEB101W1200EH 封裝/外殼為E3；包裝為托盤(pán)；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3 |
| 功能描述 | Six-Pack SPT IGBT |
| 封裝外殼 | E3 |
| 文件大小 |
503.94 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS Corporation |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IXYS |
| 中文名稱 | IXYS Corporation官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-14 11:02:00 |
MIEB101W1200EH規(guī)格書(shū)詳情
MIEB101W1200EH屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的MIEB101W1200EH晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開(kāi)關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
MIEB101W1200EH
- 制造商：
IXYS
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
托盤(pán)
- 配置：
三相反相器
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，100A
- 輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：
無(wú)
- 工作溫度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
E3
- 供應(yīng)商器件封裝：
E3
- 描述：
IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
SMD |
3200 |
十年品牌!原裝現(xiàn)貨!!! |
詢價(jià) | |||
IXYS |
22+ |
Tray |
500 |
只有原裝 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
23+ |
N/A |
12500 |
IXYS全系列在售 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
MODULE |
98000 |
詢價(jià) | ||||
SIEMENS/西門(mén)子 |
23+ |
PLCC68 |
13000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
22+ |
E3 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
24+ |
5000 |
公司存貨 |
詢價(jià) | ||||
IXYS |
23+ |
MODULE |
1000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
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詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
12+ |
MODULE |
1290 |
主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126 |
詢價(jià) |
