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MJD112-252

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·HighDCcurrentgain ·Leadformedforsurfacemountapplications ·Built-inadamperdiodeatE-C ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifier andlowspeedswitchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ST/意法
23+
TO-252
13000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢(xún)價(jià)
ST
21+
TO-252
23480
詢(xún)價(jià)
ON
24+
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 詢(xún)價(jià)
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只做原裝進(jìn)口,假一罰十
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進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
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一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)
 詢(xún)價(jià)
更多MJD112-252供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-19 16:07:00

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