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MJD122

SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT

Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) ?StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“–1”Suffix) ?LeadFormedVersionAvailablein16mmTapeandReel(“T4”Suffix) ?Sur

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MJD122

Complementary Darlington Power Transistors

Features ?D-PAKforSurfaceMountApplications ?HighDCCurrentGain ?Built-inaDamperDiodeatE-C ?LeadFormedforSurfaceMountApplications ?ElectricallySimilartoPopularTIP122 ?ComplementtoMJD127

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD122

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

DESCRIPTION TheMJD122andMJD127formcomplementaryNPN-PNPpair.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPES ■LOWBASE-DRIVEREQUIREMENTS ■INTEGRATEDANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTERDIODE ■THROUGHHOLET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

MJD122

Complementary Darlington Power Transistors

Features ?D-PAKforSurfaceMountApplications ?HighDCCurrentGain ?Built-inaDamperDiodeatE-C ?LeadFormedforSurfaceMountApplications ?ElectricallySimilartoPopularTIP122 ?ComplementtoMJD127

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

MJD122

Silicon NPN epitaxial planer Transistors

Features ?HighDCCurrentGain ?Built-inaDamperDiodeatE-C ?HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF ?MoistureSensitivityLevel1 ?EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHS Compliant.SeeOrderingInfor

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

MJD122

TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN DARLINGTON TRANSISTOR

Description Designedforuseingeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications.

DCCOM

Dc Components

MJD122

NPN PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS

Features: *HighDCcurrentgain *ElectricallysimilartopopularTIP122 *Built-inadamperdiodeatE-C

WEITRON

Weitron Technology

MJD122

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ·LowCollector-Emittersaturationvoltage ·Leadformedforsurfacemountapplications ·HighDCcurrentgain ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifierandlo

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJD122

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS HammerDrivers,AudioAmplifiersApplications PowerLinearandSwitchingApplications

TGS

Tiger Electronic Co.,Ltd

MJD122

COMPLEMENTARY DARLINGTON PLASTIC POWER TRANSISTORS

DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeedSwitchingApplications

CDIL

Continental Device India Limited

晶體管資料

  • 型號：

    MJD122

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Darl

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

  • 最大電流允許值：

    8A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    20W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    G-127

  • vtest：

    0

  • htest：

    999900

  • atest：

    8

  • wtest：

    20

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    MJD122

  • 功能描述：

    達(dá)林頓晶體管 8A 100V Bipolar

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 配置：

    Octal

  • 晶體管極性：

    NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    集電極—基極電壓

  • 最大直流電集電極電流：

    0.5 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOIC-18

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
FSC
19+
TO-252
58000
詢價(jià)
ON
15
ON
6000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
CJ
20+
TO-252
30000
全新原裝公司現(xiàn)貨
詢價(jià)
ON/安森美
24+
DPAK
20000
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價(jià)
CJ/長晶
23+
SOT-23
21000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
ON
23+
SOT-252
372500
一級分銷商
 詢價(jià)
CJ(江蘇長電/長晶)
22+
TO-252-2(DPAK)
10000
只做原裝,公司現(xiàn)貨,提供一站式BO
 詢價(jià)
CJ
23+
TO252
52500
原廠原裝正品
 詢價(jià)
CJ/長電
2021+
TO-252
9000
原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價(jià)
 詢價(jià)
CJ(江蘇長電/長晶)
2023+
TO-251(I-PAK)
4550
全新原裝正品
 詢價(jià)
更多MJD122供應(yīng)商 更新時間2025-4-23 16:04:00

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