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MJD3055

TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeedSwitchingApplications ●ElectricallySimiartoMJE3055 ●DCCurrentGainSpecifiedto10A

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

MJD3055

Marking：MJD3055XXXX；Package：TO-252-2L；TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES DesignedforGeneralPurposeAmplifierdanLowSpeed SwitchingApplications ElectricallySimiartoMJE3055 DCCurrentGainSpecifiedto10Amperes

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

MJD3055

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.1V(Max)@IC=4A ·ComplementtoTypeMJD2955 APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJD3055

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.1V(Max)@IC=4A ·ComplementtoTypeMJD2955 APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJD3055

Complementary Power Transistors

MJD2955(PNP) MJD3055(NPN) SILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES60VOLTS,20WATTS DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) ?Strai

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD3055

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION TheMJD2955andMJD3055formcomplementaryPNP-NPNpairs.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPES ■SURFACE-MOUNTINGTO-252(DPAK) POWERPACKAGEINTAPE&REEL (SUFFIXT4)

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

MJD3055

General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications

GeneralPurposeAmplifier LowSpeedSwitchingApplications D-PAKforSurfaceMountApplications ?LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) ?StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) ?ElectricallySimilartoPopularMJE3055T ?DCCurrentGainSpecifiedto10A ?HighCurrentGain-

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

MJD3055

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?ExcellentSafeOperatingArea ?Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.1V(Max)@IC=4A ?ComplementtoTypeMJD2955 ?DPAKforSurfaceMountApplications ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Designed

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJD3055-251

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.1V(Max)@IC=4A ·ComplementtoTypeMJD2955 APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJD3055-252

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.1V(Max)@IC=4A ·ComplementtoTypeMJD2955 APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    MJD3055

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Darl

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

  • 最大電流允許值：

    10A

  • 最大工作頻率：

    >4MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

  • 最大耗散功率：

    20W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    G-127

  • vtest：

    0

  • htest：

    4000100

  • atest：

    10

  • wtest：

    20

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MJD3055

  • 制造商：

    onsemi

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 晶體管類(lèi)型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    8V @ 3.3A，10A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 4A，4V

  • 頻率 - 躍遷：

    2MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    TRANS NPN 60V 10A DPAK

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
CJ
17+
TO-252
6049
全新原裝正品s
 詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
24+
5000
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價(jià)
CJ/長(zhǎng)電
2021+
TO-252
9000
原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià)
 詢價(jià)
ON/安森美
24+
TO-252
505348
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價(jià)
CJ(江蘇長(zhǎng)電/長(zhǎng)晶)
24+
TO-252-2L
7700
原廠原標(biāo)渠道現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ST/FSC
17+
TO-252
6200
詢價(jià)
FAIRCHILD
24+
TO-252
36800
詢價(jià)
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STMICROELECTRONICS
16+
NA
8800
原裝現(xiàn)貨,貨真價(jià)優(yōu)
 詢價(jià)
FAIRCHILD
24+
原裝進(jìn)口原廠原包接受訂貨
2866
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
更多MJD30供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-22 10:18:00

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