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MJD2955

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ?ExcellentSafeOperatingArea ?Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-1.1V(Max)@IC=-4A ?ComplementtoTypeMJD3055 ?DPAKforSurfaceMountApplications ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformance andreliableoperation APPLICA

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJD2955

TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeed SwitchingApplications ●ElectricallySimiartoMJD3055 ●DCCurrentGainSpecifiedto10Amperes

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

MJD2955

Complementary Power Transistors

MJD2955(PNP) MJD3055(NPN) SILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES60VOLTS,20WATTS DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) ?Strai

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD2955

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION TheMJD2955andMJD3055formcomplementaryPNP-NPNpairs.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPES ■SURFACE-MOUNTINGTO-252(DPAK) POWERPACKAGEINTAPE&REEL (SUFFIXT4)

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

MJD2955

General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications

GeneralPurposeAmplifier LowSpeedSwitchingApplications D-PAKforSurfaceMountApplications ?LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) ?StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) ?ElectricallySimilartoPopularMJE2955T ?DCCurrentGainSpecifiedto10A ?HighCurrentG

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

MJD2955

TRANSISTOR (PNP)

FEATURES ●DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeed SwitchingApplications ●ElectricallySimiartoMJD3055 ●DCCurrentGainSpecifiedto10Amperes

FS

First Silicon Co., Ltd

MJD2955

General Purpose Amplifier

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

MJD2955

Complementary Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD2955

Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD2955

Complementary Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

晶體管資料

  • 型號：

    MJD2955

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Darl

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

  • 最大電流允許值：

    10A

  • 最大工作頻率：

    >4MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    20W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    G-127

  • vtest：

    0

  • htest：

    4000100

  • atest：

    10

  • wtest：

    20

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MJD2955

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    8V @ 3.3A，10A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 4A，4V

  • 頻率 - 躍遷：

    2MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    TRANS PNP 60V 10A DPAK

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
CJ/長電
24+
TO-252
2500
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價(jià)
ST/意法
24+
TO-252
504581
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價(jià)
ON/ONSemiconductor/安森
24+
SOT-223
6200
新進(jìn)庫存/原裝
 詢價(jià)
ST/FSC
17+
TO-252
6200
詢價(jià)
FAIRCHILD
2016+
5632
只做進(jìn)口原裝正品!現(xiàn)貨或者訂貨一周貨期!只要要網(wǎng)上有
 詢價(jià)
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
ON
19+
DPAK3(SI
84462
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
 詢價(jià)
ON
23+
TO-252
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
MOTOROLA
23+
NA
631
專做原裝正品,假一罰百!
 詢價(jià)
CJ/長電
22+
TO-252
13783
原裝正品現(xiàn)貨,可開13點(diǎn)稅
 詢價(jià)
更多MJD2955供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-25 16:36:00

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