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MJD122G

ComplementaryDarlingtonPowerTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD122G

ComplementaryDarlingtonPowerTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD122G

ComplementaryDarlingtonPowerTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD122I

NPNSiliconDarlingtonTransistor

FEATURES ?HighDCCurrentGain ?ElectricallySimilartoPopularTIP122 ?Built-inaDamperDiodeatE-C WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.

FS

First Silicon Co., Ltd

MJD122NPN

COMPLEMENTARYDARLINGTONPLASTICPOWERTRANSISTORS

DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeedSwitchingApplications

CDIL

Continental Device India Limited

MJD122-TP

SiliconNPNepitaxialplanerTransistors

Features ?HighDCCurrentGain ?Built-inaDamperDiodeatE-C ?HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF ?MoistureSensitivityLevel1 ?EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHS Compliant.SeeOrderingInfor

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

MJE122

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONS

ComplementaryPowerDarlingtons ForIsolatedPackageApplications Designedforgeneral–purposeamplifiersandswitchingapplications,wherethemountingsurfaceofthedeviceisrequiredtobeelectricallyisolatedfromtheheatsinkorchassis. ?ElectricallySimilartothePopularTI

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJF122

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONS

ComplementaryPowerDarlingtons ForIsolatedPackageApplications Designedforgeneral–purposeamplifiersandswitchingapplications,wherethemountingsurfaceofthedeviceisrequiredtobeelectricallyisolatedfromtheheatsinkorchassis. ?ElectricallySimilartothePopularTIP122andT

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MJF122

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONS5.0A,100V,30W

ComplementaryPowerDarlingtons ForIsolatedPackageApplications Designedforgeneral?purposeamplifiersandswitchingapplications,wherethemountingsurfaceofthedeviceisrequiredtobeelectricallyisolatedfromtheheatsinkorchassis. Features ?ElectricallySimilartothePopula

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJF122

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ?WithTO-220Fpackage ?DARLINGTON ?HighDCcurrentgain ?Lowcollectorsaturationvoltage ?ComplementtotypeMJF127 APPLICATIONS ?Designedforgeneral–purposeamplifier andswitchingapplications.

SAVANTIC

Savantic, Inc.

晶體管資料

  • 型號：

    MJD122(-1,T4)

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    100V

  • 最大電流允許值：

    8A

  • 最大工作頻率：

    >4MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    20W

  • 放大倍數(shù)：

    β>1000

  • 圖片代號：

    A-80

  • vtest：

    100

  • htest：

    4000100

  • atest：

    8

  • wtest：

    20

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MSKSEMI(美森科)
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三極管/MOS管/晶體管 > 三極管(BJT)
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更多MJD122(-1,T4)供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 10:20:00

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