MJD128分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MJD128 |
| 參數(shù)屬性 | MJD128 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為剪切帶（CT）帶盒（TB）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK |
| 功能描述 | Silicon PNP Power Transistor |
| 封裝外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
282.35 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企業(yè)簡稱 |
ISC【無錫固電】 |
| 中文名稱 | 無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-1 16:30:00 |
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MJD128規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
·High DC Current Gain-
: hFE = 1000(Min)@ IC= -4A
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = -120V(Min)
APPLICATIONS
·Designed for general purpose amplifier
and low speed switching applications.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MJD128T4G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
剪切帶（CT）帶盒（TB）
- 晶體管類型：
PNP - 達林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
4V @ 80mA，8A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
5mA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 4A，4V
- 頻率 - 躍遷：
4MHz
- 工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝：
DPAK
- 描述：
TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONS |
23+ |
DPAK |
4200 |
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詢價 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-252 |
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ON |
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DPAK |
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ONS |
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DPAK |
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ON |
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TO-252 |
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ON/安森美 |
22+ |
TO-252 |
14100 |
原裝正品 |
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ON(安森美) |
23+ |
標準封裝 |
5000 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價 |
