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MJE170-TU	文件：1.30081 Mbytes Page：4 Pages	Marking:MJE170;Package:TO-126;TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES LowPowerAudioAmplifier LowCurrent,HighSpeedSwitchingApplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
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MMBF170	文件：75.64 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperformance.Theycanb	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MMBF170	文件：62.76 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features ?LowOn-Resistance ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHi	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBF170	文件：517.87 Kbytes Page：13 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MMBF170	文件：140.38 Kbytes Page：2 Pages	0.5A,60VN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCMMBF170isanN-channelenhancementMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithperfectRDS(ON),lowinputcapacitance,lowgatethresholdvoltageandhighswitchingspeed. FEATURES *RDS(ON)	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
MMBF170	文件：873.26 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ●Surface-mountedpackage ●Advancedtrenchcelldesign ●Extremelylowthresholdvoltage ●ESDprotected(HBM>2KV) Quickreference ●BV≧60V ●Ptot≦0.83W ●ID≦0.5A ●RDS(ON)≦3Ω@VGS=10V ●RDS(ON)≦4Ω@VGS=4.5V	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
MMBF170L	文件：131.12 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET 500mA,60V,N?ChannelSOT?23 Features ?NVBFPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101 QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MMBF170Q	文件：213.39 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features ?LowOn-Resistance ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHi	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMF170A	文件：825.258 Kbytes Page：3 Pages	200W170VTVStransientsuppressordiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE

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更多MJE170-TU供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-14 11:00:00

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