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MJF2955

COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS

MJF3055(NPN) MJF2955(PNP) COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES90VOLTS,30WATTS Specificallydesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. Features ?IsolatedOvermoldPackage(1500VoltsRMSMin) ?ElectricallySimilartothePopular

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MJF2955

COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES90VOLTS30WATTS

ComplementarySiliconPowerTransistors ...specificallydesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. ?IsolatedOvermoldPackage(1500VoltsRMSMin) ?ElectricallySimilartothePopularMJE3055TandMJE2955T ?Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)90Volts

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MJF2955

ComplementarySiliconPowerTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MJF2955G

ComplementarySiliconPowerTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MMFT2955E

TMOSMEDIUMPOWERFET1.2AMP60VOLTS

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MMFT2955E

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MSU2955

8-BitMicro-controller

8-BitMicro-controllerwith16KBflashembedded

MOSELMOSEL VETELIC INC.

茂矽電子臺灣茂矽電子股份有限公司

MTD2955E

TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.3OHM

TMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMountP–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecovery

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD2955E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTD2955E

PowerFieldEffect

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

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更多MJE2955TS供應(yīng)商 更新時間2025-1-28 10:36:00

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